閃存是一種非易失性的半導體可擦寫存儲器，U盤、TF卡、SD卡、CF卡、SSD等都屬于閃存產品。目前大多數SSD閃存顆粒主要分為SLC、MLC、TLC、QLC，而3D TLC和3D QLC顆粒已經被市場的主流SSD所采用。其中，3D TLC顆粒憑借著3D堆疊技術的成熟和成功應用，其穩定性、可靠性和耐用性等相關性能有了極大的提升，且3D TLC擁有制造成本比2D MLC顆粒低的優勢，也已經成為大多數企業級應用和工業級應用解決方案的首選NAND。為了突破半導體制程的瓶頸，閃存原廠紛紛通過3D堆疊來實現NAND Flash容量的可持續提升。因此，閃存制造商仍在挑戰3D NAND的層數極限，從最初的32層、48層、64層，到最新的96層和128層，并且預測在未來5年內，3D NAND堆疊層數將達到500層，10年內將可達到1000層，甚至更高層數的NAND Flash顆粒。

96層的3D TLC提升存儲容量，同時提高了存儲速度

相較于老的堆疊工藝，96層堆疊工藝其每單元芯片尺寸存儲容量增加約40%。該工藝降低了位存儲價格并提高了每個硅晶片內存容量的可制造性。相較于2D TLC，3D TLC 利用新的技術（即3D NAND技術）使得閃存晶圓能夠進行立體式的堆疊，從而解決了由于晶圓物理極限而無法進一步擴大單Die可用容量的限制，在同樣體積大小的情況下，極大的提升了閃存顆粒單Die的容量體積，進一步推動了存儲顆粒總體容量的飆升。

舉例如下：

2D NAND就如同在一塊有限的平面上建立的數間平房，這些平房整齊排列，但是隨著需求量的不斷增加，平房的數量不斷增長，可最終這塊面積有限的平面只能容納一定數量的平房而無法繼續增加；

3D NAND則就如同在同一塊平面上蓋起的樓房，在同樣的平面中，樓房的容積率卻遠遠高于平房，因而它能提供更多的空間，也就是提供了更大的存儲空間，而32層、48層以及64層、96層和128層，則就是這些樓房的高度，一共堆疊了多少層。

Agrade通過嚴苛的篩選和測試，將96層3D TLC（Bics4）用于工業級SSD存儲解決方案，隨著NAND Flash制程演進與市場需求的發展，96層3D TLC 工業級SSD固態硬盤的技術已經相當成熟并可用于需要長期穩定運行的特種計算機和工業電腦等設備，而睿達存儲推出的兼具創新與符合嚴苛工業應用的閃存解決方案——96層3D TLC（Bics4）存儲解決方案，引領工業存儲全面升級。Agrade睿達將96層3D TLC（Bics4）閃存導入各種規格的固態硬盤，包括2.5寸、M.2 2280、M.2 2242、CFexpress卡、mSATA等。

3D NAND技術使得SSD的容量不斷提升并且持續向更大的容量發展

Agrade睿達96層3D TLC工業級SSD存儲產品特點：

● 可提供更高容量的存儲空間，耐用度也經過驗證；

● 支持工業級寬溫(-40°C~85°C)和與3K P/E Cycle（擦寫次數），功耗方面亦有更優異的表現；

● 還可搭配Agrade睿達自主開發的固件，大幅提升固態硬盤的寫入速度和穩定性，效能如虎添翼。

Agrade睿達96層3D TLC工業級存儲解決方案以全方位高度整合，確保嚴苛應用中的出色性能和最佳可靠度，廣泛運用在各種領域，如快速興起的AIoT、IIoT、智能交通、醫療、數據中心、5G通訊、監控、工業自動化等。隨著市場對于大容量存儲設備需求的不斷提高，閃存顆粒市場的3D NAND已經成為主流，而睿達存儲96層3D TLC工業級存儲產品讓客戶體驗到更大存儲容量的同時，享受到更優異的存儲性能。