ST40接口采用SATA 3.0標(biāo)準(zhǔn)，接口理論傳輸速度600MB/s，實(shí)際最高速度550MB/s左右。

閃存支持4通道(CH)，8CE，所以理論上支持8x4=32個(gè)單CE閃存芯片，或16顆雙CE閃存，或8顆4CE，以此類推。

在實(shí)際應(yīng)用上，此實(shí)例中我們采用東芝正片 TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC閃存，單顆16GB，采用15nm制程工藝。

速度三原則，[閃存速度原則]，基本上制程就決定了閃存本身的速度，這顆閃存采用了目前非常先進(jìn)的15nm制程工藝，理論上速度應(yīng)該比較理想。

順便說一句，有的朋友認(rèn)為，TSOP封裝代表了落后，事實(shí)上不完全對(duì)，TSOP或BGA僅僅是封裝方式而已，兩者各有特點(diǎn)，但在核心/管芯上其實(shí)是相同的，如此例中TSOP也可以很先進(jìn)，很優(yōu)秀。

另外，這顆閃存TSOP封裝決定了只有一個(gè)模組，模組也只有一個(gè)核心/管芯(模組可能有1、2、4個(gè)CE)，所以它是一顆單CE閃存芯片。

下面是我們的實(shí)際測試：

TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 1  =  16GB /  1CH  /  1CE

測試中的速度，基本可以視為閃存本身的速度表現(xiàn)，當(dāng)然，主控也有一定因素的影響，好的主控可以讓速度表現(xiàn)得現(xiàn)好，反之亦然。

TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 2  =  32GB /  2CH  /  2CE

兩顆閃存，容量加倍，通道/CE加倍，從測試成績看，讀/寫的速度也都加倍，基本體現(xiàn)了速度三原則[通道倍增原則]。

TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 4  =  64GB /  4CH  /  4CE

四顆閃存，再次證明速度三原則[通道倍增原則]，寫速度加倍；讀速度理論上也應(yīng)該是加倍的，但頂?shù)搅薙ATA接口的天花板，550MB/s，沒有辦法再高了，速度三原則[接口限制原則]。

TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 8  =  128GB /  4CH  /  8CE

正面相同，反面再增加四顆，共八顆閃存，由于主控只提供4通道，所以8CE平均分配到4CH，每CH有2CE，通道沒有增加，但CE數(shù)量加倍了，在CE數(shù)量相對(duì)于最大CE數(shù)32仍然比較少的情況下，主控沒有滿負(fù)荷工作，寫速度因?yàn)镃E的加成，仍然體現(xiàn)出加倍的情況；讀速度同樣受SATA接口限制，穩(wěn)定在550MB/s的最高值。

TOSHIBA TC58TEG7DDLTA0D，MLC，16GB x 16  =  256GB /  4CH  /  16CE

16顆閃存情況與8顆類似，每CH有4CE，通道沒增加，CE再加倍，所以寫速度也因?yàn)镃E的加成仍然增加了70%，讀速度仍然保持在SATA最高值。

現(xiàn)在我們可以證明：

固態(tài)硬盤的速度 = 

單顆閃存速度 x 通道數(shù)量 < 接口實(shí)際最高速度

增加閃存數(shù)量，可以增加容量，倍數(shù)提升速度，但多顆閃存較同容量的單顆閃存價(jià)格高，其次，閃存數(shù)量越多，故障點(diǎn)就越多，所以要平衡各方面情況綜合考慮。

小提示2：

同一型號(hào)固態(tài)硬盤，速度可能不同，甚至相差極大，同系列固態(tài)硬盤的速度參數(shù)可以作為參考，實(shí)際數(shù)值還是要以閃存型號(hào)及數(shù)量為基礎(chǔ)。

Agrade(睿達(dá)) SATA SSD ST40采用16xTSOP板型，非常適合于工業(yè)存儲(chǔ)用戶的中小容量用戶，整個(gè)板型采用標(biāo)準(zhǔn)大板，用料精良，支持睿達(dá)特色之用戶個(gè)性化定制，其優(yōu)點(diǎn)在于，可以在固態(tài)硬盤容量不大的情況下，以閃存類型x數(shù)量的方式來達(dá)到用戶以需求的理想的速度。