NAND Flash被廣泛使用在車載、移動(dòng)設(shè)備、網(wǎng)絡(luò)通訊和工業(yè)級(jí)嵌入式儲(chǔ)存等應(yīng)用，除了搭載軟件及固件程序的開發(fā)，使得整體運(yùn)作效率更高，傳輸速度更好；NAND制程技術(shù)也一直在尋求精進(jìn)與突破，不管在價(jià)格競(jìng)爭力或NAND芯片的耐用度與穩(wěn)定性上，希望能在功能技術(shù)與成本之間取得平衡。

因此NAND閃存目前發(fā)展的方向多以降低儲(chǔ)存位成本、提高存儲(chǔ)容量和增加耐用度為原則。因此，睿達(dá)提供新的閃存解決方案，兼顧效能與成本考慮，客戶可挑選最適合的NAND閃存于其應(yīng)用產(chǎn)業(yè)中。

2D NAND Flash制程的進(jìn)化從 SLC NAND Flash到后來的MLC和TLC，SLC為效能最佳的閃存類型且低功耗，但單價(jià)成本過高；而MLC成本相對(duì)較低，但受限于寫入效能和寫入/抹除次數(shù)(Program/Erase Cycle)即使用壽命只高過TLC。由此得知，不同層級(jí)儲(chǔ)存單元的NAND閃存有不同的特質(zhì)，并非儲(chǔ)存單元數(shù)越多就越好，依據(jù)實(shí)際工業(yè)儲(chǔ)存應(yīng)用需求選用最適合的閃存類型，才能真正將系統(tǒng)資源的分配與運(yùn)用優(yōu)化。

因此，睿達(dá)在2D開發(fā)上有了aSLC，其核心概念是使MLC達(dá)到像SLC等級(jí)的作業(yè)水平，寫入/抹除次數(shù)(Program/Erase Cycle)達(dá)20,000次，提升其讀寫效能和使用壽命，在 MLC 和 SLC 閃存類型之間獲取成本效益最優(yōu)化。

但隨著2D NAND制程已達(dá)物理極限，儲(chǔ)存單元內(nèi)可裝載容量要再擴(kuò)增，勢(shì)必采用3D NAND堆疊技術(shù)的方式，提升閃存容量，且多方考慮不同的應(yīng)用和功能應(yīng)該選用不同模式的閃存。睿達(dá)基于3D堆疊技術(shù)架構(gòu)原理通過固件開發(fā)，優(yōu)化3D NAND閃存技術(shù): aSLC-X、MLC-X和3D TLC，在立體結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)下除了容量空間增大，耐用性與可靠度皆大幅提升。aSLC-X和MLC-X解決方案，其寫入/抹除次數(shù)(Program/Erase Cycle)分別可達(dá)30,000次與10,000次，已超越MLC或工業(yè)3D TLC寫入/抹除次數(shù)10倍之多。而Agrade的3D TLC NAND，寫入/抹除次數(shù)(Program/Erase Cycle)達(dá)3000次，相比于Consumer-grade 3D TLC來的更可靠且效能和使用壽命也有顯著增長。

為滿足客戶應(yīng)用端不同的使用特性需求，Agrade陸續(xù)推出搭載3D NAND的TLC、aSLC-X和MLC-X閃存優(yōu)化解決方案，提供靈活和彈性的選擇，更具價(jià)格競(jìng)爭力，不僅為客戶考慮到成本效益平衡，更大幅提升運(yùn)作系統(tǒng)可靠度與穩(wěn)定性，是各類嵌入式系統(tǒng)的絕佳選擇。Agrade閃存解決方案的全新工業(yè)級(jí)固態(tài)硬盤，包含2.5”、M.2、mSATA、CFast和7Pin SATADOM，多款SSD 外型規(guī)格可供選用。