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創(chuàng)見DDR4 U-DIMM內(nèi)存模塊采用頂級(jí)顆粒與組件所制而成,通過縝密的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,適用于新一代Intel? Skylake桌面計(jì)算機(jī)平臺(tái)。每支內(nèi)存模塊具備2400MHz時(shí)脈頻率,提供每秒高達(dá)19GB的傳輸速率,可大幅提升系統(tǒng)運(yùn)作效率。此外,創(chuàng)見DDR4 U-DIMM擁有1.2伏特低工作電壓特性,不但能減低運(yùn)作時(shí)的溫度,還能減少內(nèi)存控制器的電力負(fù)荷,相較于標(biāo)準(zhǔn)DDR3的1.5伏特電壓,更能達(dá)到節(jié)能減碳的目標(biāo)。
創(chuàng)見DDR4 U-DIMM內(nèi)存模塊采用頂級(jí)顆粒與組件所制而成,通過縝密的實(shí)驗(yàn)室測(cè)試,適用于新一代Intel? Skylake桌面計(jì)算機(jī)平臺(tái)。每支內(nèi)存模塊具備2400MHz時(shí)脈頻率,提供每秒高達(dá)19GB的傳輸速率,可大幅提升系統(tǒng)運(yùn)作效率。此外,創(chuàng)見DDR4 U-DIMM擁有1.2伏特低工作電壓特性,不但能減低運(yùn)作時(shí)的溫度,還能減少內(nèi)存控制器的電力負(fù)荷,相較于標(biāo)準(zhǔn)DDR3的1.5伏特電壓,更能達(dá)到節(jié)能減碳的目標(biāo)。
容量 | DRAM | 創(chuàng)見型號(hào) | 描述 |
4GB | 512Mx8 | TS512MLH64V4H | 4GB DDR4 2400 U-DIMM 1Rx8 |
8GB | 1Gx8 | TS1GLH64V4B | 8GB DDR4 2400 U-DIMM 1Rx8 |
8GB | 512Mx8 | TS1GLH64V4H | 8GB DDR4 2400 U-DIMM 2Rx8 |
16GB | 1Gx8 | TS2GLH64V4B | 16GB DDR4 2400 U-DIMM 2Rx8 |
內(nèi)存模塊 | |
RAM種類 | DDR4 |
DIMM種類 | U-DIMM |
頻率 | 2400 |
時(shí)序 | CL17 |
容量 | 4 GB/ 8 GB/ 16 GB |
Rank | 1Rx8/ 2Rx8 |
DRAM | 1Gx8/ 512Mx8 |
電壓 | 1.2V |
電路板高度 | 1.23 吋 |
Pin | 288 pin |
備注 | 產(chǎn)品外觀因型號(hào)不同而有所差異,圖片僅供參考,請(qǐng)以實(shí)際產(chǎn)品為準(zhǔn)。 |